科莱新材料依托十四年生产及应用经验推出诸多前沿无机材料，以催化剂、柔性透明导电材料、钜阵材料、半导体材料、双相导电材料广泛应用于智能科技领域及新能源领域。性能优越，参数可定制，诚邀各界专业领域的客户垂询、指导。

       钛黑分散物 Titanium black dispersion

       钛黑分散物、感光性树脂组合物、晶片级透镜、遮光膜。设置在一面具有图像传感器部分的硅基板的另一面上形成遮光膜，该遮光膜可以阻挡红外光。这种钛黑分散物，其含有钛黑粒子、分散剂、以及有机溶剂。用于晶片级透镜，这种钛黑粒子组成的分散体含90%以上30nm以下的粒径颗粒。能够抑制遮光膜附近的光的散射或投射率的降低，且能够降低遮光膜的形成区域外的来源于感光性组合物的残渣物。

       适用于：摄像元器件。

       黑色树脂合成物 Black resin composite

       科莱提供一种可以在更高亮度的背面光下，在用于形成黑色矩阵时能够得到具有足够的遮光性的黑色矩阵，以及在用于形成着色层时能够得到良好的色彩再现性的着色层，而且在图案形成部位以外的基板上不会产生残渣和油污，所形成的图案表面平滑性良好，具有较高的分辨率的放射线敏感性组合物，还有由其所形成的黑色矩阵和着色层，以及具有上述黑色矩阵或着色层的液晶显示元件。

       适用于：树脂黑矩阵的黑色树脂组合物、树脂黑矩阵、彩色滤光片和液晶显示装置。

       喷墨法彩色滤光片的黑色基质组合物

       传统的彩色滤光片是通过染色、颜色分散、印刷或电沉积制造的，其中颜料分散法是用于TFT- LCD的主要方法。这些方法都需要重复三次相同的过程来对R、G、B三种颜色进行着色，从而导致了重复过程所带来的高成本和低产量问题。通过使用喷墨方法喷涂彩色墨水形成着色层，使用黑色基质矩阵形成液体排斥表面，用以分隔彩色滤光片中红、绿、蓝三原色（防止色混淆）、防止漏光，从而有利于提高各个色块的对比度，可大幅降低成本和提高产品性能。

       科莱黑色基质组合物含有一种颜色材料作为基本成分，作为一种颜色材料，可以使用黑色颜料，它可以是单独的黑色颜色材料，也可以是红色、绿色、蓝色和其他颜色材料的混合物。 并且这些颜色材料可以选用自无机颜料和染料，用于形成喷墨法色彩滤光片的黑色矩阵。

        适用于：液晶显示设备色彩滤光片黑色矩阵（BM）遮光薄膜。

       氮化锡钙 CaSnN2

       氮化锡钙是一种新型的三元氮化物半导体，通过高压置换反应合成的。氮化锡钙和氮化锡镁的带隙为2.3-2.4 eV，适合克服绿光带隙问题。这种半导体在室温下也显示出很强的阴极发光峰，广义梯度近似 (GGA) 计算表明 CaSnN 2具有直接带隙。是廉价且无毒的半导体，有中间带隙，作为颜料来替代镉基材料。

      它们还可用于发射装置和光伏吸收器，取代InxGa1-xN半导体。

      适用于：作为颜料来替代镉基材料、代替In x Ga 1- x N半导体用于发光器件和用作光伏吸收器。

       氮化锡镁MgSnN2

       一种含有镁、锡和氮的、新型生态友好型宽带隙半导体材料，及含该化合物的颜料。目前硅仍然是许多电子应用的重要半导体材料，但其低吸收系数降低了其在高效太阳能电池领域的竞争力，其间接带隙与发光二极管和固态照明应用不太匹配。科莱从氮化物中获得到了所需的带隙和光学性质，合成了带隙或带隙的新型化合物吸收边，包含这种化合物的半导体材料和使用该化合物的颜料。这样的氮化物具有预定值的光学间隙，由于它们由丰富的元素镁和锡组成，具有成熟的回收基础设施。因具有岩盐或层状岩盐晶体结构，使得它具有良好的光学间隙，因此它可以用作颜料，也可以用作具有所需发光颜色的半导体，例如光电器件。

      适用于：具有宽带隙（高于2eV），可以替代常用于LED和其他器件应用的GaN（带隙为3.4 eV）1。此外，MgSnN2薄膜也被研究用于光电子性能的增强。通过射频磁控溅射调制MgSnN2的组合靶功率，可以获得更好的光电子性能，为现有的发光二极管（LED）和其他光电子器件提供新的选择。

       硫化铋 Bismuth Sulfide

       硫化铋是一种无机高漆黑色颜料，传统的许多黑色颜料使用铬氧化物，对人体和环境的安全性方面令人担忧，并且用传统方法制造的硫化铋粒子虽然是黑色，但黑度不够，不具有理想的黑度。另外硫化铋作为一种重要的半导体材料，在热电、电子和光电子器件以及红外光谱学上具有潜在的应用价值。可用来制作光电转换器，应用于热电冷却工艺中。纳米级的硫化铋在发光材料、非线性光学材料、光催化材料等方面也有着广泛的应用前景。

       适用于：液晶显示器用光吸收材料、遮光膜、塑料、树脂等。